特許

J-GLOBAL ID：200903066375532693

ナフチリジン誘導体の製造方法

発明者： 佐々木 幹雄
出願人/特許権者： 住友製薬株式会社 ,  住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-297056
公開番号（公開出願番号）：特開2003-096076
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 O-アシル保護基の脱保護を起こさずに、一般式(3)(式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2およびR3は、低級アルキル基または置換されていてもよいフェニル基を表わす。)で示されるナフチリジン誘導体を製造する方法を提供すること。【解決手段】一般式(1)(式中、R1およびR2は上記と同一の意味を表わす。)で示される化合物と一般式(2)(式中、R3は上記と同一の意味を表わし、Xは、塩素原子または臭素原子を表わす。)で示されるハロ炭酸エステルとを、脱水剤の存在下に反応させることを特徴とする一般式(3)で示されるナフチリジン誘導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1)(式中、R1は低級アルキル基を表わし、R2は低級アルキル基または置換されていてもよいフェニル基を表わす。)で示される化合物と一般式(2)(式中、R3は、低級アルキル基または置換されていてもよいフェニル基を表わし、Xは、塩素原子または臭素原子を表わす。)で示されるハロ炭酸エステルとを、脱水剤の存在下に反応させることを特徴とする一般式(3)(式中、R1、R2およびR3は上記と同一の意味を表わす。)で示されるナフチリジン誘導体の製造方法。

Fターム (11件)：

4C065AA04 ,  4C065BB09 ,  4C065CC01 ,  4C065DD02 ,  4C065EE02 ,  4C065HH01 ,  4C065JJ04 ,  4C065KK01 ,  4C065LL01 ,  4C065PP03 ,  4C065QQ04