半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-184375
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029575
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】半導体記憶装置の高集積化、超微細化により容量素子の占有面積を低減しても電荷蓄積容量値を十分大きくできる新規構造を提供する。【構成】一つのトランジスタと一つの容量素子を一単位とする半導体記憶装置において、上記トランジスタは、底部が絶縁膜により半導体基板から隔離された単結晶半導体層を用いて形成されており、かつ上記容量素子は、上記単結晶半導体層の底面より下部に構成された成分のみから成るか、または上記下部に形成された成分と上記単結晶半導体層主表面の上部に構成された成分との和から成ることを特徴とする。【効果】半導体記憶装置の動作速度を高速化でき、面積を低減することができる。また、耐α線特性を大幅に向上できる。さらに、製造工程数を低減でき、かつ記憶容量も占有面積を増加することなく倍増できる。さらに、配線層の形成に関しても下地段差を低減でき、断線不良の確率を低減できる。

請求項（抜粋）：

一つのトランジスタと一つの容量素子を一単位とする半導体記憶装置において、上記トランジスタは、底部を絶縁膜により半導体基板から隔離した単結晶半導体層を用いて形成されており、かつ上記容量素子は、上記単結晶半導体層の底面より下部に形成した成分のみから成るか、またはこの下部に形成した成分と上記単結晶半導体層主表面の上部に形成した成分との和から成ることを特徴とする半導体記憶装置。

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