特許
J-GLOBAL ID：200903066379168023
気相成長装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木戸 一彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066396
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260291
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 欠陥の少ない良好な二成分系以上の化合物半導体薄膜を形成することができ、原料ガスの利用効率が高く、生産性も高めることができる気相成長装置及び方法を提供する。【解決手段】 基板14より上流側に基板面と平行に2枚の仕切板17,18を配設し、反応管13内を基板側から第一流路21,第二流路22及び第三流路23の平行な3層の流路に区画するとともに、基板側の第一流路に揮発性原料ガスを希釈ガスによって希釈した第一気相成長ガスを、次の第二流路に難揮発性原料ガスを希釈ガスによって希釈した第二気相成長ガスを、基板から最も離れた第三流路に原料ガスを含有していない成長促進ガスを、それぞれ導入する。
請求項（抜粋）：
基板を設置した反応管内に、少なくとも2種類の原料ガスを基板面に対して平行な方向に導入して前記基板面に二成分系以上の化合物半導体薄膜を形成する気相成長装置において、前記基板より上流側に基板面と平行に2枚の仕切板を配設し、反応管内を基板側から第一流路,第二流路及び第三流路の平行な3層の流路に区画するとともに、前記第一流路に第一気相成長ガス導入管を、第二流路に第二気相成長ガス導入管を、第三流路に成長促進ガス導入管を、それぞれ連設したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/365
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
, H01L 21/365
