特許

J-GLOBAL ID：200903066379383110

化合物半導体太陽電池の製造方法

発明者： 辻 美輪 ,  大山 秀明 ,  新本 哲也
出願人/特許権者： 松下電池工業株式会社
代理人 (1件)： 石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238479
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068694
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 CdS膜に対して塩素を含む溶液を安価な方法で簡易に、塗布することができる太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 (a)透光性基板上に設けられた透明導電膜上に硫化カドミウム膜を形成する工程、(b)塩素系化合物の溶液を超音波振動により霧状化し、前記硫化カドミウム膜の表面に塗布する工程、(c)前記基板を熱処理する工程、(d)前記基板を洗浄する工程、ついで(e)前記硫化カドミウム層上にpn接合を有する化合物半導体層を形成する工程を含む化合物半導体太陽電池の製造方法。

請求項（抜粋）：

(a)透光性基板上に設けられた透明導電膜上に硫化カドミウム膜を形成する工程、(b)塩素系化合物の溶液を超音波振動により霧状化し、前記硫化カドミウム膜の表面に塗布する工程、(c)前記基板を熱処理する工程、(d)前記基板を洗浄する工程、ついで(e)前記硫化カドミウム層上にp型の化合物半導体膜を形成する工程を含む化合物半導体太陽電池の製造方法。

Fターム (8件)：

5F051AA09 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03