特許
J-GLOBAL ID：200903066382304299
電界効果トランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-123685
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204469
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【構成】p型Si基板(11)のゲート電極(15)下のチャネル領域中の中央部分のみに、p型イオン注入層(19)を選択的に形成し、このp型イオン注入層(19)と低濃度n型ソース・ドレイン領域(17、18)とが分離している構成。【効果】ホットキャリア効果および短チャネル効果を減少させ、低濃度ソース・ドレイン領域のドーピングを安定に行なうことができ、さらに、高集積化に有利で、動作速度の速い電界効果トランジスタを提供することができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板上の所定の箇所に形成したゲート電極と、上記ゲート電極下の上記半導体基板の表面領域に形成したチャネル領域と、上記チャネル領域中に選択的に形成した上記半導体基板の不純物濃度より高濃度の第1導電型イオン注入層と、上記チャネル領域の一端部の外側の上記半導体基板の表面領域に順次形成した上記第1導電型と逆の第2導電型の低濃度ソース領域および高濃度ソース領域と、上記チャネル領域の上記一端部に対向する他端部の外側の上記半導体基板の表面領域に形成した第2導電型の低濃度ドレイン領域、高濃度ドレイン領域のうちの少なくとも高濃度ドレイン領域とを含んでなり、かつ、上記第1導電型イオン注入層と上記低濃度および高濃度ソース領域、ドレイン領域とが分離していることを特徴とする電界効果トランジスタ。
引用特許：
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