特許

J-GLOBAL ID：200903066382527638

バンプ製造方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022564
公開番号（公開出願番号）：特開平10-224029
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 仕上がり後のバンプの表面を清浄化して接触抵抗の低減を図るとともに、フリップチップ実装後において高い信頼性および耐久性を有するバンプ製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基体1上に所定の工程を経てはんだボールバンプ8を形成した後、半導体基体1に対して、Arガス雰囲気中でスパッタエッチング処理を施し、はんだボールバンプ8の表面の不純物層9を除去して清浄なはんだボールバンプ8の表面を露出させるとともに、ポリイミド膜3の最表面をイオン衝撃により活性化させる。スパッタエッチング処理は、還元性ガスを含む雰囲気中で行ってもよい。また、はんだボールバンプ8形成後の半導体基体1に対して、酸素を含む雰囲気中でアッシング処理を行った後、不活性ガス雰囲気中または少なくとも還元性ガスを含む雰囲気中でスパッタエッチング処理を行ってもよい。

請求項（抜粋）：

バンプ形成後の基体に対して、不活性ガス雰囲気中でスパッタエッチング処理を行う工程を有することを特徴とするバンプ製造方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 511 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 3/26

FI (3件)：

H05K 3/34 511 ,  H01L 21/60 311 Q ,  H05K 3/26 A