フォーミング方法及びマルチ冷陰極電子源及び画像表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大塚康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174779
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027270
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】薄膜に電子放出部を形成するためのフォーミング時における各素子のフォーミング条件のばらつきを低減することを可能とする。【解決手段】冷陰極電子源101は画像表示装置を構成する際の画像の有効表示部分(発光部)に配されている。また、ダミー電子源102は、有効表示部分外(非発光部)の冷陰極電子源であり、画像の有効表示部分の冷陰極電子源101のフォーミング条件を均一化するべく機能する。即ち、ダミー電子源102の電子放出部形成前の抵抗値が冷陰極電子源101の電子放出形成前の抵抗値よりも大きくなるように形成される。このため、ダミー電子源102は冷陰極電子源101よりも遅くフォーミングされるようになるため、各冷陰極電子源101の活性化時間のばらつきが実効的に低減される。

請求項（抜粋）：

複数の第1配線と複数の第2配線の夫々の1つずつに接続されて形成された薄膜に電子放出部を形成するフォーミング方法であって、複数の第1薄膜と該複数の第1薄膜のいずれよりも高い抵抗値を有する1つ又は複数の第2薄膜とを含む薄膜群を形成する形成工程と、前記複数の第1配線及び複数の第2配線を介して前記薄膜群に通電処理を行う通電工程と、少なくとも前記薄膜群に含まれる第2薄膜の1つに電子放出部が形成されるまで当該薄膜群への通電処理を継続させるよう制御する制御工程とを備えることを特徴とするフォーミング方法。

IPC (3件)：

H01J 9/02 , H01J 1/30 , H01J 31/12

FI (3件)：

H01J 9/02 B , H01J 1/30 B , H01J 31/12 C

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