特許
J-GLOBAL ID：200903066393148345

静電気放電保護素子

発明者：
澤畠 弘一

澤畠 弘一 について

, 
児玉 紀行

児玉 紀行 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-317363
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200650
出願日： 2003年09月09日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】 MOSトランジスタのスナップバックをアシストするためのトリガ電流を供給する素子構造又はトリガ電流供給方法を改善して、効率よく且つ均一なタイミングでスナップバックを生じさせるようにした静電気放電保護素子を提供する。 【解決手段】 P+基板11上に、Pエピタキシャル層12が形成されており、このPエピタキシャル層12の表面にP+拡散層からなるP+ガードリング13と、このP+ガードリング13の内側の素子分離絶縁膜14に囲まれた領域に、夫々分離された複数個のPウエル20が形成されている。これらのPウエル20は相互に平行に延び、その上方には、ゲート電極16が形成され、各ゲート電極16の直下を除くエピタキシャル層12の表面には、各ゲート電極16について、ソースドレインとなる1対のN+拡散層15及び17が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
P型基板と、このP型基板の表面に形成されたN+拡散層からなるソースドレインと、このソースドレインの間の前記P型基板の上方に設けられたゲートと、前記ゲート及び前記ソースドレインの縁部の直下に設けられたPウエルと、を有し、前記Pウエルは前記ソースドレインの縁部以外の部分の直下まで延出していないことを特徴とする静電気放電保護素子。
IPC (5件)：
H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088
FI (3件)：
H01L27/06 311C ,  H01L27/08 102F ,  H01L27/04 H
Fターム (25件)：
5F038BH02 ,  5F038BH07 ,  5F038BH09 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CA03 ,  5F038CA05 ,  5F038CA06 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AA03 ,  5F048AC01 ,  5F048BA06 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BD01 ,  5F048BE04 ,  5F048BE09 ,  5F048BH05 ,  5F048CC02 ,  5F048CC04 ,  5F048CC09 ,  5F048CC13 ,  5F048CC14 ,  5F048CC18
引用特許：
出願人引用 (8件)
  • 特開昭64-42855号公報 (第2頁、第1-2図)
  • 特許第2072414号明細書 (第2頁、第1-2図)
  • 米国特許第3,746,946号明細書
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM