特許
J-GLOBAL ID：200903066393976795
放熱電極構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218585
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065072
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 薄型で且つ高い放熱性が得られる放熱電極構造を提供する。【解決手段】 半導体素子6がフェイスダウン実装される基板1上に、放熱用バンプ4’と電極3によって放熱用突起電極を構成し、該放熱用突起電極と半導体素子6のグランド電極8との間に両者が接触しない範囲で極力狭い間隙を形成して、この間隙に熱伝導性の高い絶縁性樹脂10を充填してあるので、半導体素子6で発生した熱を、グランド電極8から絶縁性樹脂10を介して放熱用突起電極(放熱用バンプ4’及び電極3)から基板1に伝えて放熱することができる。半導体素子6のグランド電極8と基板1上の放熱用バンプ4’との間隙Sが狭く、しかも該間隙Sに熱伝導性の絶縁性樹脂10が充填されているので、半導体素子1の熱を放熱用突起電極に速やかに伝えて高い放熱性を得ることができる。また、従来のような放熱器を半導体素子6に取り付ける必要がないので実装基板の厚みが厚くならない。
請求項（抜粋）：
半導体素子がフェイスダウン実装される基板上に、半導体素子と僅かな間隙をおいて対向する少なくとも1つの放熱用突起電極を設け、半導体素子と放熱用突起電極との間隙に熱伝導性絶縁材を充填した、ことを特徴する放熱電極構造。
引用特許：
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