特許

J-GLOBAL ID：200903066395479110

Si単結晶引上装置

発明者： 安藤 正博 ,  徳岳 文夫 ,  田中 雅文 ,  谷池 誠司
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345055
公開番号（公開出願番号）：特開2002-154895
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【課題】 育成中のSi単結晶の気相を介した直接の金属汚染を防止し得るSi単結晶引上装置を提供する。【解決手段】 チャンバー1内に、その引上筒1aの上端部からるつぼ3内のSi融液10面近傍に及ぶ長さを有し、育成中のSi単結晶13を囲繞する高純度石英ガラス製の円筒管14を配設した。

請求項（抜粋）：

チャンバー内に、その引上筒の上端部からるつぼ内のSi融液面近傍に及ぶ長さを有し、育成中のSi単結晶を囲繞する高純度石英ガラス製の円筒管を配設したことを特徴とするSi単結晶引上装置。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 C ,  C30B 15/00 Z ,  H01L 21/208 P

Fターム (20件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077PA16 ,  5F053AA13 ,  5F053AA14 ,  5F053AA50 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053BB13 ,  5F053BB14 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053RR03 ,  5F053RR20