特許
J-GLOBAL ID：200903066404147079
微弱磁気測定方法及びその装置並びにそれを用いた非破壊検査方法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105160
公開番号（公開出願番号）：特開平6-294850
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 アモルファス磁芯のヒステリシス特性を利用して1mG(ミリガウス)の磁束密度変化をも測定することが可能な微弱磁気測定方法及びその装置であり、それを強磁性体からなる被検査体の強制磁化に起因する漏洩磁束や誘導磁化に起因する微小な磁束密度変化を検出し、各種の非破壊検査に応用するものである。【構成】 アモルファス磁芯に巻回したコイルに、直流電流IDCに交流電流IACを重畳した励磁電流を流し、前記アモルファス磁芯が交流電流の一部で非線形磁化特性を示し且つ他の部分では線形磁化特性を示すように直流電流を調節し、外部磁場によりその非線形動作点が移動することによって生じるコイル両端の電圧変化を測定して微弱な外部磁場を測定してなる。
請求項（抜粋）：
アモルファス磁芯に巻回したコイルに、直流電流に交流電流を重畳した励磁電流を流し、前記アモルファス磁芯が交流電流の一部で非線形磁化特性を示し且つ他の部分では線形磁化特性を示すように直流電流を調節し、外部磁場によりその非線形動作点が移動することによって生じるコイル両端の電圧変化を測定して微弱な外部磁場を測定してなることを特徴とする微弱磁気測定方法。
IPC (3件)：
G01R 33/02
, G01N 27/82
, G01R 33/04
