特許
J-GLOBAL ID:200903066405600630

過電流検出機能付きスイッチ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小谷 悦司 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-035083
公開番号(公開出願番号):特開平10-041797
出願日: 1997年02月19日
公開日(公表日): 1998年02月13日
要約:
【要約】【課題】 配線部材や負荷の保護を図る。【解決手段】 マイコン4は、ランプLの点灯又は消灯の指示信号に応じて駆動回路5を介してFET2のオン、オフを制御する。また、マイコン4は、A/D変換器6を介して入力されるランプLに流れる電流ILを所定のサンプリング時間TS毎に取り込むとともに、取り込んだ電流ILをランプLの既知の定格電流値IRと比較する。そして、IL≧IRになると通電時間Tのカウントを開始し、IL×TSの累積値が予め設定された値S0になるとFET2をオフにする。また、マイコン4は、検出電流ILが予め設定された上限値I0(≫IR)以上のときは、駆動回路5を介して直ぐにFET2をオフにする。
請求項(抜粋):
負荷と電源の間に設けられ、制御端子に入力される制御信号に応じて上記負荷と上記電源との接続をオン、オフする半導体スイッチング素子と、指示信号出力部から出力される負荷の動作を指示する指示信号を受信するとともに、受信した指示信号に従って上記半導体スイッチング素子の制御端子に制御信号を出力するスイッチ制御手段とを備え、上記電源から上記負荷への電力供給を制御するスイッチ回路において、上記負荷に流れる負荷電流を検出する電流検出手段と、上記負荷電流の検出が、上記負荷と電源間の配線もしくは上記負荷の電気特性に応じて予め設定された過電流判定条件を満足すると、上記半導体スイッチング素子のオン、オフ制御を変更する過電流制御手段とを備えたことを特徴とする過電流検出機能付きスイッチ回路。

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