特許
J-GLOBAL ID：200903066414333920
半導体製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218361
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118042
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 製品の需要量に即応できるとともに、設備のスペース効率を無駄なく利用すること。【解決手段】 本発明は、複数の製造工程によって構成される生産ラインを用いて半導体を製造する方法であり、先ず、半導体の生産初期の需要量を設定し、その設定した需要量とほぼ等しいもしくは少ない生産量となるミニライン(小規模ライン)#1を構成し、その後、半導体の需要量が増加した場合には、ミニライン#1を最小単位とした複数のミニライン#2〜#8を順次構成して生産量の増加を図るものである。
請求項（抜粋）：
複数の製造工程によって構成される生産ラインを用いて半導体を製造する方法において、前記半導体の生産初期の需要量を設定し、その設定した需要量とほぼ等しいもしくは少ない生産量となる小規模ラインを構成し、その後、前記半導体の需要量が増加した場合には、前記小規模ラインを最小単位とした複数の小規模ラインを順次構成して生産量の増加を図ることを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 Z
, G05B 19/418 Z
3C100AA06
, 3C100AA43
, 3C100BB02
, 3C100EE06
