特許
J-GLOBAL ID：200903066423266003
スパッタリングターゲット及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-168777
公開番号（公開出願番号）：特開平8-013141
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月16日
要約：
【要約】【目的】 高集積化されたLSIの配線路における断線等を防止し、半導体装置の信頼性及び歩留りを高めることを可能とする、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【構成】 ターゲット材がアルミニウム合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、ターゲット材中に残存する酸化物の量を3ppm以下とすること、及び/又は、ターゲット材中に残存する水素ガスの量を0.1ppm以下とすることにより、スパッタリング時の異常放電の発生回数を減らす。このターゲットから得られるLSIの配線中のパーティクル個数を減らし、その断線等を防止する。また、本発明の製造方法は、真空雰囲気中で排気を続けながら、溶融したターゲット素材中に不活性ガスの気泡を送り込んでバブリングした後、更に真空又は不活性ガス雰囲気中で、溶融したターゲット素材を冷却固化することでスパッタリングターゲットを製造する。
請求項（抜粋）：
アルミニウム合金から成るターゲット材中に残存する酸化物の量を3ppm以下にしたことを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開平2-200775
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特開平2-200775
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特開平2-200775
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