特許
J-GLOBAL ID：200903066423886648
放射線環境に対して高信頼性の論理回路
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-538247
公開番号（公開出願番号）：特表2000-509222
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】本発明に従って、デュアルメモリセルは、第1論理状態入力信号を受信し、かつ出力信号を与える第1のメモリセルを備え、さらに第2論理状態入力信号を受信し、かつ出力信号を備え、その第1及び第2のメモリセル、並びに第2のメモリセルは、さらに他のメモリセルから1つ或いはそれ以上の信号を受信し、かつ応答する。第1のメモリセルの出力信号及び第2のメモリセルの出力信号はさらに結合され、合成論理状態出力信号を与え、その信号が放射線環境における信頼性を改善する。
請求項（抜粋）：
同一の論理状態をそれぞれ有する第1及び第2の論理状態入力信号を供給されるデュアルメモリセルであって、 前記第1の論理状態入力信号を受信し、かつ出力信号を与える第1のメモリセルと、 前記第2の論理状態入力信号を受信し、かつ出力信号を与える第2のメモリセルとを有し、前記第2のメモリセルがさらに、前記第1のメモリセルからの1つ或いはそれ以上の論理信号を受信し、かつ応答し、また前記第1のメモリセルがさらに、前記第2のメモリセルからの1つ或いはそれ以上の論理信号を受信し、かつ応答することを特徴とするデュアルメモリセル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 19/20
, H03K 3/037 Z
