特許

J-GLOBAL ID：200903066428823482

磁気トンネル接合構造体と基板との間にコンタクトプラグを有する磁気ラム素子及びその製造方法

発明者： 李 將銀 ,  呉 世忠 ,  ▲ペ▼ ▲ジュン▼洙 ,  金 ▲ヒュン▼助 ,  河 永奇 ,  南 ▲キュン▼兌
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-229876
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054458
出願日： 2005年08月08日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：

【課題】 磁気ラム素子を提供する。【解決手段】 磁気ラム素子は、半導体基板及び前記半導体基板上に配置された磁気トンネル接合構造体を具備する。前記磁気トンネル接合構造体と前記半導体基板との間に下部電極コンタクトプラグが配置される。前記下部電極コンタクトプラグは、前記磁気トンネル接合構造体と前記半導体基板との間に電気的接続を提供する。前記磁気トンネル接合構造体に隣接してデジットラインが配置される。また、前記磁気ラム素子の製造方法も提供する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に配置された磁気トンネル接合構造体と、 前記磁気トンネル接合構造体と前記半導体基板との間に配置されて、前記磁気トンネル接合構造体と前記半導体基板とを電気的に接続する下部電極コンタクトプラグと、 前記磁気トンネル接合構造体に隣接するように配置されたデジットラインと、 を含むことを特徴とする磁気ラム素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA39 ,  5F083KA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5940319号明細書
  
• 米国特許第6385082号明細書