特許

J-GLOBAL ID：200903066429311787

レジストパターンの形成方法及びレジスト塗布装置

発明者： 及川 朗 ,  松田 秀之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-254283
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112114
出願日： 1992年09月24日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 レジストパターンの形成方法及びレジスト塗布装置に関し、疎水化処理剤に起因する汚染を防いで安定したレジストパターンの形成を可能にするレジストパターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】 被処理基板に塩基性物質を含む疎水化処理剤をもってなす疎水化処理と加熱処理とを続けて実施し、加熱処理のなされた被処理基板上に化学増幅型レジストを塗布する工程を含むレジストパターンの形成方法において、疎水化処理工程と疎水化処理工程に引き続いて実施される少なくとも1回の加熱処理工程とを他の工程と遮断された雰囲気内において実施するようにする。

請求項（抜粋）：

被処理基板に塩基性物質を含む疎水化処理剤をもってなす疎水化処理と加熱処理とを続けて実施し、該加熱処理のなされた被処理基板上に化学増幅型レジストを塗布する工程を含むレジストパターンの形成方法において、前記疎水化処理工程と該疎水化処理工程に引き続いて実施される前記少なくとも1回の加熱処理工程とを他の工程と遮断された雰囲気内においてなすことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  G03F 7/16 501 ,  G03F 7/38 501

FI (3件)：

H01L 21/30 361 A ,  H01L 21/30 361 C ,  H01L 21/30 361 H