特許
J-GLOBAL ID：200903066433322564
光起電力装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068212
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283738
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【構成】 タンデム構造の光起電力装置において、光吸収層として、下部セルは結晶シリコンを、上部セルはCuInS2 などの結晶シリコンよりもバンドギャップの大きいカルコパイライト化合物を用いる光起電力装置。【効果】 変換効率が高く、光照射時の耐久性に優れ、かつ安価なタンデム構造の光起電力装置が作製できる。
請求項（抜粋）：
結晶シリコンからなるPN型の第1の光起電力素子と、結晶シリコンよりもバンドギャップの広い元素周期律表のI-III -VI族化合物を光吸収層として有する第2の光起電力素子とを積層することを特徴とする光起電力装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 Y
, H01L 31/04 E
