特許

J-GLOBAL ID：200903066434448910

サンプルの磁気構造乃至磁区をイメージ化する方法及びこれを応用した記憶装置

発明者： リチャード・ジョゼフ・ガンビーノ ,  ラルフ・ラフ ,  エリア・ゼルドフ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-240154
公開番号（公開出願番号）：特開平6-242130
出願日： 1993年09月27日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 テスト用及びデータ記憶用の導電性、半導電性及び非導電性の磁気材料に適用可能な広範なSTM技術を提供する。【構成】 サンプル14の磁気構造乃至磁区をイメージ化する装置及び方法が、走査トンネル顕微鏡(STM)52、先端12の電圧を変化させる電圧発生器66、先端を通過する電流を測定する電流計64、0電流時における先端電圧を決定する回路63、及びサンプルの長さ方向に電流を流す電流源36を含む。本発明では更に、サンプルの面内に、サンプルを流れる電流に直交する磁界が印加される。印加磁界を除く上記装置を含む。

請求項（抜粋）：

サンプルの磁気構造乃至磁区をイメージ化する方法であって、上記サンプルを通り、且つ上記サンプルの表面にほぼ平行な第1の方向に電流を流すステップと、上記サンプルの表面との間の固定トンネル・ギャップにクランプされる上記走査トンネル顕微鏡(STM)の走査先端により走査するステップと、上記先端と上記サンプルとの間の電圧を変化させるステップと、上記先端と上記サンプルとの間に流れる電流をモニタするステップとを含み、これによってホール電位の変化が、電流キャリアの平均自由行路のオーダの散乱長によってのみ制限される解像度で得られる方法。

IPC (4件)：

G01N 37/00 ,  G01N 27/72 ,  G01R 33/10 ,  G01R 33/12