特許

J-GLOBAL ID：200903066440325234

半導体ウェハの平坦化法

発明者： 山本 浩三
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-332136
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167587
出願日： 1994年12月12日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハの平坦性を向上させる。【構成】 研磨処理が施された半導体ウエハ10の表面にレジスト等の流動物を平坦状に塗布することにより塗布膜12を形成する。ドライエッチング処理により塗布膜12及びウエハ10を等速でエッチバックしてウエハ10の表面のLTV(局所的凹凸)をなくす。

請求項（抜粋）：

研磨処理が施された半導体ウエハの表面に流動物を平坦状に塗布して塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜及び前記半導体ウエハをほぼ等速でエッチバックして前記半導体ウエハの表面を平坦化する工程とを含む半導体ウエハの平坦化法。