セラミックス基板及びセラミックス基板の粗化面への薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175658
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260220
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】同一面内にセラミックス部分と金属部分とが混在しているときでも、そのような面に対して密着性に優れた薄膜を形成することができるセラミックス基板を提供すること。【解決手段】 AlN製の絶縁基材2と金属製の導体層3とからなり、絶縁基材2の表面粗さRa1を0.01μm〜5μm、導体層3の表面粗さRa2を0.002μm〜2μmとし、絶縁基材2の表面粗さRa1が、導体層3の表面粗さRa2より大きいセラミックス基板。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム製の絶縁基材(2)と金属製の導体層(3)とからなるセラミックス基板(1)において、前記絶縁基材(2)の表面粗さ(Ra1)が0.01μm〜5μmの範囲内であり、前記導体層(3)の表面粗さ(Ra2)が0.002μm〜2μmの範囲内であり、かつ前記絶縁基材(2)の表面粗さ(Ra1)が、前記導体層(3)の表面粗さ(Ra2)より大きいことを特徴とするセラミックス基板。

IPC (3件)：

H05K3/38 , H05K3/14 , H05K3/18

FI (4件)：

H05K3/38 A , H05K3/14 A , H05K3/18 D , H05K3/18 K

Fターム (20件)：

5E343AA07 , 5E343AA24 , 5E343AA36 , 5E343BB24 , 5E343BB39 , 5E343BB40 , 5E343DD02 , 5E343DD23 , 5E343DD24 , 5E343DD25 , 5E343DD32 , 5E343EE33 , 5E343ER12 , 5E343ER14 , 5E343ER16 , 5E343ER18 , 5E343ER32 , 5E343ER38 , 5E343ER39 , 5E343GG02

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平2-267989
特開平2-267989
特開昭62-224952

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