特許
J-GLOBAL ID：200903066445387629
化合物半導体結晶の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-340856
公開番号（公開出願番号）：特開平5-170592
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月09日
要約：
【要約】【目的】半導体レーザや受光素子などの半導体素子の作製において、埋込み成長や加工した基板上への半導体結晶の再成長を行う場合に、結晶再成長界面におけるキャリアの蓄積あるいは欠乏を抑制し、良好な界面特性を有する高性能の半導体素子が得られる化合物半導体結晶の成長方法を提供する。【構成】有機金属気相成長(MOVPE)法において、炭化水素系ガスもしくはハロゲン元素を含む炭化水素系ガスを用い、プラズマを発生させて半導体基板表面をプラズマ処理する工程を少なくとも含む化合物半導体結晶の成長方法。【効果】結晶再成長界面におけるキャリア濃度分布をほぼ均一にすることができ、理想的な界面特性が得られるので半導体素子の特性を一段と向上させることができる。
請求項（抜粋）：
結晶成長室内に基板を設置し、該基板上に有機金属気相成長法によって化合物半導体結晶を成長する方法において、上記基板上に、一般式CxHyXz(式中、Xはハロゲン元素、x、y、zは整数を表わす)で示される炭化水素系ガスもしくはハロゲン元素を含む炭化水素系ガスを導入しプラズマを発生させて、上記基板表面をプラズマ処理する工程を少なくとも含むことを特徴とする化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (4件)：
C30B 25/02
, C23C 16/30
, H01L 21/205
, H01L 21/302
