特許
J-GLOBAL ID：200903066456100119
半導体光集積素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-185198
公開番号（公開出願番号）：特開平11-030720
出願日： 1997年07月10日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 活性層と光導波を一括形成した半導体光集積素子において、曲線導波路の曲率半径を小さくして、素子を小型化すること。【解決手段】 選択MOVPEによるバンドギャップエネルギー制御技術を用いて活性領域と受動導波路領域の活性層を一括形成した後、InPより屈折率の高いInGaAsP第1クラッド層、InP第2クラッド層を埋め込み成長する。受動導波路において活性層と第1クラッド層の屈折率が同等となり、導波光は第1クラッド層に閉じ込められる。第1クラッド層の屈折率、膜厚、導波層幅を適切にとることにより、曲率半径が小さくても放射損失を生じない光導波路を形成できる。
請求項（抜粋）：
活性領域および受動導波路領域からなる半導体光集積素子であって、第1導電型半導体基板上の前記活性領域および前記受動導波路領域に一括して形成された半導体活性層の層厚が前記受動導波路領域において前記活性領域よりも薄く、かつ前記受動導波路領域における前記半導体活性層のバンドギャップエネルギーが前記活性領域における前記半導体活性層のバンドギャップエネルギーよりも大きく、前記活性領域および前記受動導波路領域における前記半導体活性層の側部および上部が第2導電型半導体クラッド層により一括して埋め込まれている半導体光集積素子において、前記第2導電型半導体クラツド層が少なくとも第2導電型第1クラッド層および第2導電型第2クラツド層からなり、前記第2導電型第1クラッド層の屈折率が前記第1導電型半導体基板および前記第2導電型第2クラツド層の屈折率より高いことを特徴とする半導体光集積素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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