特許

J-GLOBAL ID：200903066459182698

マグネチックRAM

発明者： 金 昌錫 ,  鄭 ▲ひょく▼齊
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-238991
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197876
出願日： 2002年08月20日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は複数の抵抗変化素子を有するマグネチックRAM(maguneticRAM、以下MRAM)と称する)に関する。【解決手段】 単位セル当り直列又は並列に連結される複数の抵抗変化素子が包含されて多重レベルのデータを格納することを特徴とするマグネチックRAMを提供する。前記抵抗変化素子としては磁気抵抗素子や相変化素子が用いられる。これにより、素子の高集積化を可能にし、素子の特性を向上できる。

請求項（抜粋）：

マグネチックRAMにおいて、単位セル当り直列又は並列に連結される複数の抵抗変化素子が包含されて多重レベルのデータを格納することを特徴とするマグネチックRAM。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 112 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 112 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083NA08