特許
J-GLOBAL ID：200903066460135539
強誘電体膜を有する半導体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-273231
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125058
出願日： 1992年10月12日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、電極材料の選択幅を広げ、安定した強誘電体コンデンサ素子を製造できるようにし、信頼性のよい強誘電体膜を有する半導体メモリ装置を提供すると共に、その製造工程の簡略化を図り且つその集積度を向上させることにある。【構成】 半導体基板11と、この基板上に設けられた絶縁膜17と、この絶縁膜上に設けられた複数の柱状もしくは壁状に設けられた強誘電体膜18と、この強誘電体膜の対向する側面に設けられた第1電極19および第2電極20とからなる強誘電体コンデンサ素子26と、前記基板上に設けられ、前記強誘電体コンデンサの第1、第2の電極のいずれか一方の電極と接続されるトランジスタ10とを具備したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この基板上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に設けられた複数の柱状もしくは壁状に設けられた強誘電体膜と、この強誘電体膜の対向する側面に設けられた第1電極および第2電極とからなる強誘電体コンデンサ素子と、前記基板上に設けられ、前記強誘電体コンデンサ素子の第1,第2の電極のいずれか一方の電極と接続されるトランジスタとを具備したことを特徴とする強誘電体膜を有する半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
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