特許
J-GLOBAL ID：200903066461860717
半導体製造装置用セラミックス部材の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-168379
公開番号（公開出願番号）：特開平9-328376
出願日： 1996年06月06日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体への汚染がより低減された半導体製造装置用セラミックス部材を提供する。【解決手段】 必要な形状に加工されかつ洗浄されたセラミックス部材を、セラミックスの変質による被膜を実質的に形成しない雰囲気下において、1000°C〜1600°Cの温度で加熱処理する。この加熱処理により、表面に付着していた微細粒子が消失し、加工において生成したマイクロクラックが修復される。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置を構成するためのセラミックスからなる部材を製造する方法であって、前記部材として必要な形状に加工されかつ洗浄により表面が清浄にされているセラミックス部材を、前記セラミックスの変質による被膜を実質的に形成しない雰囲気下において、1000°C以上の前記セラミックス部材の変形が実質的に起こらない温度で加熱処理する工程を備えることを特徴とする、半導体製造装置用セラミックス部材の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 41/80
, C04B 35/10
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
C04B 41/80 A
, H01L 21/205
, C04B 35/10 Z
, H01L 21/302 B
