特許
J-GLOBAL ID：200903066466806087
UHF帯MoゲートMOSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-323877
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177379
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】UHF帯のMoゲートパワーMOSFETにおける、ゲート長短縮による特性バラツキと高周波特性向上。【構成】ゲート長を短縮するとゲート抵抗が増加し、特にパワー用でゲートフィンガーが長いものでは、ゲートMo膜厚が薄いと周波数特性の劣化があり、設計上の制限がある。(Mo膜厚を厚くするとゲートの加工精度が悪化)この制限を除去するために、Moゲート電極3のMoは薄くつけ加工精度を保ち、ゲートフィンガーの所々にスルーホール9を一つ又は複数個開け(ソースドレインのメタライズ後に)ゲートの引出し電極8と接続させ、ゲート抵抗を低減する構造有するUHFMoゲートパワーMOSFETである。
請求項（抜粋）：
ソース、ドレイン及びゲートがくし型構造をしたUHF帯MoゲートMOSFETにおいて、P型基板上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜上に形成され各ゲートフィンガーの両端部の内側に一つ又は複数個のスルーホール用のパターンを有するモリブデンゲートと、該モリブデンゲートを覆って形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に設けられた開口を通じて前記ゲート電極のスルーホール用のパターンと接続し、前記層間絶縁膜上に設けられた上層ゲート電極とを含むことを特徴とするUHF帯MoゲートMOSFET。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/265
, H01L 29/62
H01L 29/78 301 X
, H01L 21/265 A
