半導体レーザ装置、半導体レーザ装置を用いた変調信号発生装置、および半導体レーザ装置を用いた測定装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139877
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340881
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】モードロックされた光パルスを発生するには過飽和吸収領域が必要であること。【解決手段】その内部に設けられた複数の量子井戸を有する利得領域と、前記利得領域に電子及びホールを供給するための電極と、前記利得領域で発生する光を反射させる反射部を有し、複数の光学的発振モードを保持するように構成したファブリペロー型の半導体レーザ装置において、モードロックされた光パルスを取り出すように構成したものである。

請求項（抜粋）：

その内部に設けられた複数の量子井戸を有する利得領域と、前記利得領域に電子及びホールを供給するための電極と、前記利得領域で発生する光を反射させる反射部を有し、複数の光学的発振モードを保持するように構成したファブリペロー型の半導体レーザ装置において、|d/l|<1l<0【数1】但し、l:モードロック係数E<SB>m</SB>(m=1、2、3):複数の光学的発振モードのうち隣り合った三つのモードの振幅ν<SB>n</SB>(n=1、2、3):複数の光学的発振モードのうち隣り合った三つのモードの振動角周波数ε<SB>0</SB>:真空の誘電率k:自由キャリアの波数ベクトルω<SB>k</SB>:波数ベクトルkにおける伝導帯と価電子帯準位間のエネルギー差ω<SB>ck</SB>:伝導帯のエネルギー準位ω<SB>vk</SB>:価電子帯のエネルギー準位N<SB>k</SB>:エネルギー準位ω<SB>ck</SB>とエネルギー準位ω<SB>vk</SB>との間の反転分布の確率d<SB>cvk</SB>:ωkに対応する双極子モーメントγ:位相緩和定数γ<SB>c</SB>:自由電子の非発光緩和定数γ<SB>v</SB>:自由ホールの非発光緩和定数δ:クロネッカーのデルタとし、モードロックされた光パルスを取り出すように構成したことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/065 , H01S 5/34

FI (2件)：

H01S 3/18 634 , H01S 3/18 676

Fターム (7件)：

5F073AA22 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073CA12 , 5F073EA01 , 5F073EA27 , 5F073HA08

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