特許
J-GLOBAL ID：200903066467183504
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031050
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244116
出願日： 1993年02月22日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 反応室内の半導体ウェハに対する熱処理温度を均一にし、成膜の均一性を図ることができるようにする。【構成】 複数枚の半導体ウェハ8をボート9に収納して半導体ウェハ8の各々の表面に薄膜を形成する半導体製造装置であって、膜厚の形成状態に応じて半導体ウェハ8をボート9に収納する際、ボート9の収納溝を1段または複数段おきに使用し、半導体ウェハ8の密間隔による収納に起因する炉内温度差の発生を低減する。
請求項（抜粋）：
複数枚の半導体ウェハを治具に収納して反応室で前記半導体ウェハの各々の表面に薄膜を形成する半導体製造装置であって、前記治具に収納する際の前記半導体ウェハの間隔を膜厚の形成状態に応じて任意にすることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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