薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029467
公開番号（公開出願番号）：特開2002-229064
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：

【要約】【課題】アルミニウム及びアルミニウム合金からなるゲート電極部104の表面にあるコンタクト部117において、酸素を含むスパッタガスでのプラズマ酸化による酸化アルミニウムの成膜を抑制することによって、ゲート取り出しコンタクトホール112の形成が容易に実現でき、酸化アルミニウムに起因するコンタクト不良の発生を抑制することができる。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタアレイは、アルミニウムまたは高融点金属を含むアルミニウム合金からなる第1の電極と、前記第1の電極上の少なくとも一部に陽極酸化膜105を備え、前記第1の電極上の少なくとも一部に、タンタルに対する酸素の原子数比が前記第1の電極から膜厚方向に向かって増加している酸化タンタル膜106を備え、前記第1の電極上の一部に第2の電極と電気的に接続するコンタクト部117を備えた。

請求項（抜粋）：

アルミニウムまたは高融点金属を含むアルミニウム合金からなる第1の電極と、前記第1の電極と電気的に接続する第2の電極から構成され、前記第1の電極上の少なくとも一部に陽極酸化膜を備え、前記第1の電極上及び前記陽極酸化膜の少なくとも一部に、金属に対する酸素の原子数比の変化が前記第1の電極から膜厚方向に向かって増加している酸化金属を少なくとも含む絶縁膜を備え、前記第1の電極上の一部に前記第2の電極と電気的に接続するコンタクト部を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (5件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , H01L 21/768 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , H01L 21/90 L , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 W

Fターム (83件)：

2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KB04 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA24 , 2H092NA28 , 2H092NA29 , 2H092PA09 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033KK08 , 5F033KK10 , 5F033MM05 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ89 , 5F033RR03 , 5F033RR06 , 5F033RR20 , 5F033SS09 , 5F033SS26 , 5F033TT02 , 5F033VV15 , 5F033XX09 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE37 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF06 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF24 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435EE33 , 5G435GG21 , 5G435KK05

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