特許

J-GLOBAL ID：200903066476970497

半導体装置の製造方法およびエッチング装置

発明者： 執行 和浩
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358906
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158113
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 表面に半導体層が形成された基板の半導体層をエッチングする工程を備えた半導体装置の製造において、半導体層のエッチングを優れた加工精度で行なう。【解決手段】 表面に半導体層が形成された基板11をエッチング液15に浸漬し、半導体層の所望の部分にエッチング液15中から出射された半導体層のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光を照射し、この光が照射された部分の半導体層をエッチング液15中へ溶解させてエッチングする。

請求項（抜粋）：

表面に半導体層が形成された基板をエッチング液に浸漬し、上記半導体層の所望の部分に上記エッチング液中から出射された上記半導体層のバンドギャップ以上のエネルギーを有する光を照射し、この光が照射された部分の半導体層を上記エッチング液中へ溶解させてエッチングする工程を備えてなる半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 J

Fターム (9件)：

5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043DD08 ,  5F043EE40 ,  5F073AA13 ,  5F073CA02 ,  5F073CA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA35