特許

J-GLOBAL ID：200903066478623581

半導体装置の製造方法

発明者： 小林 清輝 ,  稲葉 豊
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009668
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204033
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 異方性エッチングの際に生じる有機化合物などの副生成物、プラズマアッシング法を用いてレジスト膜の除去を行う際に生じる不純物等が、トンネル酸化膜等の内部に混入し、膜質が悪化することを抑制する。【構成】 副生成物及び不純物が付着している領域を酸化する酸化工程を含む半導体装置の製造方法とすることで、副生成物及び不純物を酸化工程によって形成される酸化物の内部に取り込むか、若しくは副生成物及び不純物自体を酸化し、酸化物とすることで、その後、生じた酸化物をウェットエッチングによって除去し、膜質劣化の原因となる副生成物及び不純物を完全に取り除く。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に第一の絶縁層を形成する工程、上記第一の絶縁層上に第一の導電層を形成する工程、上記第一の導電層上に第二の絶縁層を形成する工程、上記第二の絶縁層上に第二の導電層を形成する工程、上記第二の導電層上にレジストパターンを形成して、これをマスクとして少なくとも第一の導電層の下部に及ぶまで異方性エッチングする工程、上記レジストパターンを除去する工程、上記第一、第二の絶縁層、及び上記第一、第二の導電層の表面全面若しくは一部を酸化する酸化工程、この酸化工程によって生じた酸化物を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434