特許
J-GLOBAL ID：200903066482385768
樹脂封止型半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264522
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109975
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】メモリーパッケージに代表される樹脂封止型半導体装置の記憶容量の大型化,製造工程の簡略化をはかる。【構成】一枚目の半導体素子の回路形成面上に、絶縁部材を介して、同半導体素子の電極パッドが露出する形状の接合板、もしくは、リードの集合体を接合し、電気接続を終えた後、その上面に絶縁部材を介して半導体素子を搭載,接合,電気接続し、樹脂で封止する。【効果】半導体素子間のすき間寸法を決定する接合板とその両面の絶縁部材の厚さの和がワイヤのループ高さ以上となるので、通常の電気接続が行え、その結果として、複数の同一な半導体素子が同一の方向に内蔵でき目的が達成される。
請求項（抜粋）：
二枚の半導体素子と、複数のリードと、半導体素子の接合板と、絶縁部材と、ワイヤを備え、それらを樹脂で封止,成形した樹脂封止型半導体装置において、一枚の半導体素子の回路形成面に絶縁部材を介して半導体素子の接合板を接合し、ワイヤを用いて所定の電気接続を行なった後、同接合板のその反対面に絶縁部材を介してもう一枚の半導体素子の非回路形成面を接合し、ワイヤを用いて所定の電気接続を行ない、それらを樹脂で封止,成形したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
