特許
J-GLOBAL ID：200903066486093214
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-022199
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211990
出願日： 1994年01月21日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 基板を分割せずに光出力を測定することで生産性の向上を図れる半導体レーザの製造方法を提供すること。【構成】 先ず、基板1の面に沿って一方向に発振用ストライプ11を形成するとともに励起電流を与えるための電極12を形成し、次いで基板1の面に対して略垂直でかつ発振用ストライプ11上で所定距離を隔てた2つの壁面21を基板1の例えば位置A〜Eに形成し、その後2つの壁面21に挟まれた発振用ストライプ11に励起電流を与え壁面から出射するレーザ光の特性を測定して半導体レーザ10を製造する。また、光特性測定後、2つの壁面21の内側で発振用ストライプ11を劈開して半導体レーザ10を製造する方法でもある。
請求項（抜粋）：
平板状の基板に発振用パターンを形成した後、該基板を該発振用パターン上で分割して複数の半導体レーザを製造する方法であって、先ず、前記基板の面に沿って一方向に前記発振用パターンを形成するとともに該発振用パターンに励起電流を与えるための電極を形成し、次いで、前記基板の面に対して略垂直でかつ前記発振用パターン上で所定距離を隔てた2つの壁面を該基板の所定箇所に形成し、前記2つの壁面に挟まれた発振用パターンに対して前記電極から励起電流を与え前記壁面から光を出射させて該光の特性を測定することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
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