特許

J-GLOBAL ID：200903066487408332

流動性スピンオン絶縁体

発明者： ドンナ・リソーネ・コテ ,  ソン・ヴァン・グェン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001357
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209146
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 ギャップ充てん特性の高い絶縁体を開発することを目的とする。【解決手段】 ホスファゼンまたはボラジンなどのPまたはBを含有する材料をシルセスキオキサンの溶液と混合し、基板上にスピンコーティングして所定の厚みの皮膜を形成することにより、イオン・バリア特性を有するスピンオン絶縁コーティングを形成する。コーティングした皮膜を段階的に硬化させて、溶剤およびHならびにOH基のほとんどを除去すると、SiONX(XはB、P、Fまたはこれらの混合物)の組成を有する皮膜が形成する。P、B、または他の元素の量は、シルセスキオキサン中の固形分を計算し、適量のボラジンまたはホスファゼンを添加することにより前もって決定する。コーティングされ、硬化した皮膜はトレンチをエッチングすることにより形成されたトポグラフィを充てんし、平坦化する。

請求項（抜粋）：

(HSi(OH)xO3-x/2)nの溶液を調製するステップと、選択した量の、ホスファゼン、フルオロホスファゼン、ボラジン、およびこれらの混合物からなるグループから選択した少なくとも1種類の材料を添加することにより、上記溶液を変性させるステップと、上記溶液を基板にコーティングして層を形成するステップと、上記層を硬化させて、主としてシリコン、酸素、窒素、ならびにB、P、およびFからなるグループから選択した少なくとも1種類の元素を有する絶縁コーティングを形成するステップとを含む工程によって基板上に形成した絶縁コーティング。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/24 302

FI (3件)：

H01L 21/316 G ,  B05D 7/00 H ,  B05D 7/24 302 Y