放射線平面検出器及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-111671
公開番号（公開出願番号）：特開2004-317300
出願日： 2003年04月16日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】検出器としての信頼性及び解像度特性を向上することが可能な放射線平面検出器及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】放射線検出器は、画素単位の光電変換素子13が複数配列してなる光電変換基板11と、光電変換基板11上に配置され放射線により励起されて蛍光を発生するシンチレータ層39と、光電変換基板11上に形成されシンチレータ層39を画素単位に区画する隔壁部38と、を備えている。シンチレータ層39は、単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度が75%以上のセラミックシンチレータまたはCaF2、BaF2、CaWO4、Bi4Ge3O12、NaI、CsI、Gd2SiO5、Lu2SiO5の少なくとも1種の単結晶によって構成されたことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生するシンチレータ層と、を備え、前記シンチレータ層は、単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度が75%以上のセラミックシンチレータによって形成されたことを特徴とする放射線平面検出器。

IPC (6件)：

G01T1/20 , G01T1/202 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09 , H04N5/32

FI (8件)：

G01T1/20 B , G01T1/20 G , G01T1/202 , H04N5/32 , H01L31/00 A , H01L27/14 K , H01L27/14 C , H01L27/14 D

Fターム (38件)：

2G088EE01 , 2G088FF02 , 2G088GG10 , 2G088GG16 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ37 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA02 , 4M118CA32 , 4M118CB11 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB24 , 5C024AX12 , 5C024AX16 , 5C024AX17 , 5C024CX37 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5C024GX09 , 5C024GX16 , 5C024GX18 , 5F088AA03 , 5F088AB05 , 5F088BA02 , 5F088BB03 , 5F088BB07 , 5F088EA04 , 5F088EA08 , 5F088GA02 , 5F088HA15 , 5F088LA08

引用特許：

審査官引用 (8件)

放射線検出装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-387511 出願人：キヤノン株式会社
放射線検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-112934 出願人：キヤノン株式会社
放射線検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-319766 出願人：日立金属株式会社

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