特許
J-GLOBAL ID:200903066487880058

低熱膨張合金及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川和 高穂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-292391
公開番号(公開出願番号):特開平7-070706
出願日: 1993年10月29日
公開日(公表日): 1995年03月14日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、主に半導体装置等の真空機器中に装入、又は装着される部品を製作するための素材となる低熱膨張合金及びその合金の表面に窒化ボロンが析出した合金及びその製造方法を目的とする。【構成】 Niが25〜50%を含有する合金であって、必要によりCr及びCoを含有し、かつ所定量のBとNを含有する低熱膨張合金である。さらに、これらの低熱膨張合金を固溶化処理及び窒化ボロン析出処理を行なって、その表面に窒化ボロンを析出させた低熱膨張合金である。その製造方法は、上記成分組成を有する低熱膨張合金を用意し、まず、1000°C以上に加熱し、その後急冷し、再度、耐化性雰囲気で600〜950°Cに加熱し、その後急冷する方法である。
請求項(抜粋):
下記の成分組成(成分組成はwt%である)を有する低熱膨張合金。Ni:25 〜50 %、 N:0.002 % 以上、B:0.001 〜0.02 %、 C:0.05 %以下、Si:0.3 %以下、 Mn:1.5 %以下、P:0.02 %以下、 S:0.02 %以下、Sol.Al:0.03 % 以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなっている。
IPC (5件):
C22C 38/00 302 ,  C21D 6/00 101 ,  C22C 19/03 ,  C22C 38/08 ,  C22C 38/54

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