特許
J-GLOBAL ID：200903066487916095
結晶膜の膜厚測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281491
公開番号（公開出願番号）：特開平8-124986
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長させたホモ接合型半導体結晶におけるエピタキシャル結晶膜の膜厚を非接触非破壊で測定するための技術を提供する。【構成】 エピタキシャル結晶膜の膜厚を非接触非破壊で測定する方法において、ルミネッセンスにより発生した小数キャリアの寿命に係わるルミネッセンスの減衰曲線の時定数または勾配から膜厚を求める。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル結晶膜の膜厚を非接触非破壊で測定する方法において、ルミネッセンスの減衰特性との相関関係から膜厚を求めることを特徴とする膜厚測定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01B 11/06
, G01N 21/64
