膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234603
公開番号（公開出願番号）：特開2001-055554
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の機械的特性に優れ、短時間で塗膜の焼成が可能であり、非常に低い誘電率を示す膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物およびR1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方(B)潜在性酸触媒および潜在性塩基触媒もしくはいずれか一方ならびに(C)常圧での沸点が180°C以上の溶剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

請求項（抜粋）：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物およびR1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方(B)潜在性酸触媒および潜在性塩基触媒もしくはいずれか一方ならびに(C)常圧での沸点が180°C以上の溶剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (5件)：

C09J183/04 , C09D183/04 , H01L 21/283 , H01L 21/312 , H01L 21/768

FI (5件)：

C09J183/04 , C09D183/04 , H01L 21/283 P , H01L 21/312 C , H01L 21/90 S

Fターム (43件)：

4J038CG142 , 4J038DF022 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038JA34 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038NA21 , 4J040DF041 , 4J040DF042 , 4J040DF051 , 4J040DF052 , 4J040EE022 , 4J040EK051 , 4J040EK071 , 4J040HB10 , 4J040HB11 , 4J040HB15 , 4J040HB20 , 4J040HB24 , 4J040HB31 , 4J040HD13 , 4J040HD21 , 4J040HD41 , 4J040KA14 , 4J040KA23 , 4J040LA05 , 4J040LA06 , 4J040LA09 , 4M104EE18 , 4M104HH20 , 5F033RR21 , 5F033SS22 , 5F033WW03 , 5F033WW04 , 5F033XX17 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058AH02

前のページに戻る