特許

J-GLOBAL ID：200903066503113364

半導体装置

発明者： 新宮 正孝 ,  矢元 久良
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-024146
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224922
出願日： 1998年02月05日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】 放熱フィンの取り付けやダイナミック回路の採用等によるLSIの冷却対策では、LSIの微細化や大型チップ化が進み発熱量が多くなると冷却能力が不十分となり、LSIが正常に動作することが困難になる。【解決手段】 半導体基板(図示省略)の表面に素子(図示省略)が配置された半導体チップ11を搭載した半導体装置1において、半導体チップ11の表面、裏面および側面の少なくともいずれかの面に対して、接する状態にまたはその近傍にゼーベック効果素子21が備えられ、該ゼーベック効果素子21の正極は半導体装置1の電源線12に接続されていて、一方該ゼーベック効果素子21の負極は半導体装置1の接地電源線13に接続されているものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板に素子が配置されてなる半導体チップを搭載した半導体装置において、前記半導体チップの表面、裏面および側面の少なくともいずれかの面に対して、接するまたはその近傍にゼーベック効果素子が備えられ、前記ゼーベック効果素子の正極は前記半導体装置の電源線に接続されているとともに、前記ゼーベック効果素子の負極は前記半導体装置の接地電源線に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/28 ,  H01L 35/32

FI (3件)：

H01L 23/38 ,  H01L 35/28 C ,  H01L 35/32 A