特許
J-GLOBAL ID：200903066509703171
イオン注入装置及びイオン注入方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-017926
公開番号（公開出願番号）：特開平6-203789
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】 不純物のイオン注入に際して、蓄積電荷によるイオンの注入密度の不均一性や絶縁膜の静電破壊等を防止する。【構成】 半導体ウェハ12の複数の領域の電荷量を測定して、蓄積電荷の電位分布程を得る。そして、電子シャワ発生機13の複数の電子銃のうちで、正電荷が蓄積されている領域に対向する領域17の電子銃のみを動作させて、蓄積されている正電荷を中和させる量の電子シャワを照射する。一方、半導体ウェハ12のうちで正電荷が蓄積されていない領域に対向する領域17の電子銃は動作させない。このため、蓄積された電荷を効果的に中和させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの複数の領域の電荷量を測定するための電荷量測定手段と、前記測定の結果に基づき、前記電荷を中和させる量の電子シャワを前記複数の領域に照射するための電子銃とを具備するイオン注入装置。
IPC (2件)：
H01J 37/317
, H01L 21/265
