特許

J-GLOBAL ID：200903066512726484

ドライエッチング方法

発明者： 中田 錬平 ,  梶 成彦 ,  青木 利一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233929
公開番号（公開出願番号）：特開平8-092769
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：

【要約】【構成】 基板上にクロム等の周期律表第6A族の元素を主成分とする膜を形成する工程と、窒素と酸素の化合物及び水(H2 O)を含むガスを用いて、前記周期律表第6A族の元素を主成分とする膜をドライエッチングすることを特徴とする。【効果】 周期律表第6A族の元素を主成分とする膜を、高いエッチング速度、高いエッチング選択比でエッチングすることが可能であり、欠陥のないパタ-ンを容易に形成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に周期律表第6A族の元素を主成分とする膜を形成する工程と、窒素と酸素の化合物及び酸素と水素の化合物を含むガスを用いて、前記周期律表第6A族の元素を主成分とする膜をドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  C23F 1/12 ,  H01L 21/3065