特許

J-GLOBAL ID：200903066513101380

電界放出カソード

発明者： 伊藤 茂生 ,  渡辺 照男 ,  大津 和佳 ,  新山 剛宏
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 脇 篤夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177561
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014500
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：

【要約】【目的】 エミッタの直下に独立した抵抗領域を設けることができると共に、エミッタがゲートに対し均一な高さ及び距離となるよう電界放出カソードを作成できること。【構成】 ガラス等の基板1の上にカソード2が蒸着により形成されており、カソード2の上に第1絶縁層3及び第2絶縁層4が積層されている。さらに、第2絶縁層4の上にはゲート5が形成されており、ゲート5及び第2絶縁層4に開口された穴の中にエミッタ7が蒸着により形成されている。さらに、形成されたエミッタ7の直下は第1絶縁層をレーザアニールすることにより抵抗化された抵抗領域6とされている。なお、カソード2はレーザアニールにより高温とされても材質の変化しない高融点金属を材料としてスパッタにより形成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたカソードと、該カソード上に形成された第1の絶縁層と、該第1の絶縁層の上に第2の絶縁層を介して形成されたゲートと、該ゲートと上記第2の絶縁層に設けられた開口部の中で、かつ、第1の絶縁層の上に形成されたコーン状のエミッタ、を備える電界放出カソードにおいて、上記第1の絶縁層の、上記コーン状のエミッタの直下のみが抵抗化されていることを特徴とする電界放出カソード。