特許
J-GLOBAL ID:200903066514632436
電解質層およびその製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大庭 咲夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-139493
公開番号(公開出願番号):特開2003-331867
出願日: 2002年05月15日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 薄く、気密性の高いガラス電解質膜を備えた電解質層、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 多孔質カーボンあるいは多孔質金属酸化物または、その他の非導電性金属酸化物によって構成された板状の支持体13上に、白金担持カーボンあるいは白金微粒子とガラス電解質ゾル21を混合させた触媒ペースト22を塗布し乾燥させて触媒層を形成した後、触媒層の上にガラス電解質ゾル21を塗布し乾燥させてガラス層を形成し、更に、ガラス層上に再度触媒ペースト22を塗布した上で焼成して、電解質層10を形成した。
請求項(抜粋):
多孔質材料によって構成された板状の支持体上に、触媒とガラス電解質ゾルを混合させた触媒ペーストを塗布した後、前記触媒ペーストの上に前記ガラス電解質ゾルを塗布した上で焼成する電解質層。
IPC (3件):
H01M 8/02
, H01M 4/86
, H01M 8/10
FI (5件):
H01M 8/02 M
, H01M 8/02 E
, H01M 8/02 P
, H01M 4/86 B
, H01M 8/10
Fターム (15件):
5H018AA06
, 5H018AS02
, 5H018AS03
, 5H018BB01
, 5H018BB08
, 5H018BB12
, 5H018EE03
, 5H018EE05
, 5H018EE17
, 5H026AA06
, 5H026BB00
, 5H026BB01
, 5H026BB04
, 5H026BB08
, 5H026EE18
引用特許:
前のページに戻る