特許
J-GLOBAL ID：200903066515711640
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-091171
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266420
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】明瞭な認識マークを捺印できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、赤外線(レーザー)の吸収率が高い保護膜17を介して、ダイシングシート21の上面に半導体ウェハが貼着される。従って、ダイシングシート21を透過するレーザー28を照射して、保護膜17の上面に所定の認識マーク20を刻印することができる。更に、可視光線を透過させるダイシングシート21の上方から、カメラ32を用いて半導体装置部24の位置を検出して位置合わせを行うことができる。従って、レーザー照射および半導体装置部24の位置認識を、ダイシングシート21の上面のみから行うことが可能となり、認識マークの形成に必要とされるコストを低減させることができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1主面と、前記第1主面に対向する第2主面とを具備し、複数の半導体装置部が形成された半導体ウェハを用意する第1工程と、
前記半導体ウェハの前記第1主面を、保護膜を介してダイシングシートに貼着する第2工程と、
前記半導体ウェハおよび前記保護膜をダイシングして前記半導体装置部を互いに分離する第3工程と、
前記ダイシングシートを透過して前記保護膜に光線を照射することにより、前記保護膜の表面に認識マークを形成する第4工程と、
前記ダイシングシートから前記半導体装置部を剥離させる第5工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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