特許
J-GLOBAL ID：200903066522262940
プラズマ装置およびプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-345822
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153702
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 誘導結合プラズマ・プロセスによる半導体デバイスの製造に関する装置と方法を提供する。【構成】 ワークピースをプラズマ処理する方法で、(1)プロセス・チェンバがワークピースを支持し、所定の平面の上に平坦な誘電性ウィンドウを持ち、(2)プロセス・チェンバにプロセス・ガスを導き入れ、(3)プロセス・チェンバの外で、誘電性ウィンドウに隣接し、所定の平面に平行に置かれたコイルの中に高周波数電流を誘導し、高周波数電流がプロセス・チェンバの中でプロセス・ガスのプラズマを生成する磁界を作り、(4)コイルによって生成された容量性電界を、誘電性ウィンドウから遠ざけて接地に向けてシールドし、容量性電界によるコイルとプラズマの間の誘導結合との干渉を減らし、誘電性ウィンドウのスパッタリングから容量性電界により生ずる汚染を実質的になくすようにした方法。
請求項（抜粋）：
高密度プラズマを生成する装置で、該装置は、誘電性ウィンドウを持つプロセス・チェンバと、上記誘電性ウィンドウに隣接し、上記プロセス・チェンバの外側に置かれたコイルと、上記コイルと上記誘電性ウィンドウの間に置かれ、接地された導電性シールドと、上記シールドと上記コイルの間に置かれた絶縁層と、を有し、該装置の作動時には、上記シールドが、上記コイルにより生成された容量性電界を上記誘電性ウィンドウから遠ざけて接地に向けて導き、上記プロセス・チェンバでの上記容量性電界による上記コイルとプラズマの間の誘導結合との干渉を実質的に減らすようにした装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, C23C 14/00
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
