特許
J-GLOBAL ID：200903066526172546
気相成長方法及びプラズマプロセス装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-120206
公開番号（公開出願番号）：特開平5-032483
出願日： 1991年05月24日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板33をフッ酸ガスで洗浄し、この後ECRプラズマプロセス装置43の反応室11内に配設された試料台31上にシリコン基板33を載置し、不活性ガスを反応室11内に導入してシリコンの変位エネルギーより低いエネルギーでプラズマを点灯した後、気相成長用ガスを導入する気相成長方法。【効果】 従って、本来はプラズマが点灯しないような低マイクロ波パワーでも気相成長用ガスのプラズマが点灯することとなり、汚染及び欠陥の非常に少ない良質のエピタキシャル成長膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板をフッ酸ガスで洗浄し、この後電子サイクロトロン共鳴励起(ECR)プラズマプロセス装置の反応室内に配設された試料台上に前記シリコン基板を載置し、不活性ガスを前記反応室内に導入してシリコンの変位エネルギーより低いエネルギーでプラズマを点灯した後、気相成長用ガスを導入することを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
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