特許

J-GLOBAL ID：200903066531736261

磁気メモリ装置、その書き込み方法およびその製造方法

発明者： 田中 寧 ,  元吉 真
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-325801
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133527
出願日： 2001年10月24日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 TMR素子の記憶層における磁化の方向が反転しやすくなるようにして、書き込みに要する消費電流を抑え、低消費電力の磁気ランダムアクセスメモリの提供を図る。【解決手段】 トンネル絶縁層303を強磁性体の磁化固定層302と記憶層304とで挟んでなるTMR素子13を有するもので、強磁性体のスピン方向が平行もしくは反平行によって抵抗値が変化することを利用して情報を記憶する不揮発性の磁気メモリ装置1において、TMR素子13を間にして立体的に交差するように配置されるビット線12および書き込みワード線11のうちの少なくとも一方における少なくともTMR素子13に対向する領域は、高融点・高抵抗金属で形成されているものである。

請求項（抜粋）：

トンネル絶縁層を強磁性体で挟んでなるトンネル磁気抵抗素子を有するもので、前記強磁性体のスピン方向が平行もしくは反平行によって抵抗値が変化することを利用して情報を記憶する不揮発性の磁気メモリ装置において、前記トンネル磁気抵抗素子を間にして立体的に交差するように配置されるビット線および書き込みワード線のうちの少なくとも一方における少なくとも前記トンネル磁気抵抗素子に対向する領域は、高融点・高抵抗金属で形成されていることを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (16件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083KA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR06 ,  5F083PR40