シリコンまたはシリコン化合物膜の成膜方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大野精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264835
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089847
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】アーク放電プラズマを用いたイオンプレーティング法で電気絶縁性のシリコン蒸着材料を蒸発させてシリコン膜を基板上に成膜したりまた酸素ガスを導入しながら二酸化珪素膜を反応的に基板上に成膜すると放電電圧が著しく高くなり、アーク放電プラズマを安定して持続することができず、安定して膜の成膜ができない課題があった。【解決手段】アーク放電プラズマを照射させて蒸発させるシリコン金属の蒸着材料に、硼素、燐、アルミニウムのいずれかの元素を0.1ppm〜100ppm含有させて導電性のシリコン金属の蒸着材料とする。反応性ガスとして酸素または窒素を成膜時に用いると、二酸化珪素膜や窒化珪素膜を安定して成膜できる。

請求項（抜粋）：

アーク放電プラズマ源を用いてシリコン金属蒸着材料を蒸発させることにより、シリコンまたはシリコン化合物膜を成膜する方法において、前記シリコン金属に導電性のシリコン金属を用いることを特徴とするシリコンまたはシリコン化合物膜の成膜方法。

IPC (3件)：

C23C 14/32 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 14/32 A , H01L 21/203 Z , H01L 21/205

Fターム (38件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA35 , 4K029BA46 , 4K029CA03 , 4K029CA04 , 4K029DD06 , 5F045AA08 , 5F045AA18 , 5F045AB03 , 5F045AB06 , 5F045AB32 , 5F045AB34 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AF07 , 5F045BB09 , 5F045DP02 , 5F045EB02 , 5F045EH10 , 5F045EH19 , 5F103AA02 , 5F103AA10 , 5F103BB14 , 5F103BB19 , 5F103BB36 , 5F103BB42 , 5F103DD16 , 5F103DD27 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103KK03 , 5F103KK10 , 5F103LL20 , 5F103NN04 , 5F103NN05 , 5F103RR02

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