特許
J-GLOBAL ID：200903066535994362
誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小柴 雅昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128625
公開番号（公開出願番号）：特開平11-322414
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：
【要約】【課題】 電界強度10kV/mmでのCR積が室温で5000Ω・F、150°Cで200Ω・F以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、DCバイアス特性や絶縁耐力に優れ、温度特性がB特性およびX7R特性を満足し、耐候性能に優れ、内部電極にNiを使用した積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 セラミック層2a,2bのための誘電体磁器組成物は、{BaO}m TiO2 +R2 O3 +BaZrO3 +MgO+MnO(R2 O3 はEu2 O3 、Gd2 O3 、Tb2 O3 、Dy2 O3 、Ho2 O3 、Er2 O3 、Tm2 O3 、Yb2 O3 の少なくとも1種)系の主成分と、この主成分100モルに対して、SiO2 に換算して0.2〜5.0モルの副成分としての酸化珪素とを含有する。
請求項（抜粋）：
アルカリ金属酸化物の含有量が0.02重量%以下のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも1種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、{BaO}<SB>m </SB>TiO<SB>2 </SB>+αR<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>+βBaZrO<SB>3 </SB>+γMgO+gMnO(ただし、R<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>はEu<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Gd<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Tb<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Dy<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Ho<SB></SB><SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Er<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>、Tm<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>およびYb<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>の中から選ばれる少なくとも1種であり、α、β、γおよびgはモル比を表し、0.001≦α≦0.060.005≦β≦0.060.001<γ≦0.120.001<g≦0.12γ+g≦0.131.000<m≦1.035の範囲内にある。)で表される主成分を含有するとともに、副成分として酸化珪素を、前記主成分100モルに対して、SiO<SB>2 </SB>に換算して0.2〜5.0モル含有していることを特徴とする、誘電体磁器組成物。
IPC (3件)：
C04B 35/46
, H01B 3/12 303
, H01G 4/12 358
C04B 35/46 D
, H01B 3/12 303
, H01G 4/12 358
